碳化硅工艺设备

首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做

以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备主要包括: 碳化硅粉料合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的利用该设备开发了PVT法制备大直径碳化硅晶体的生长工艺，已成功制备直径100mm、厚度超过25mm的4HSiC体单晶，同时也掌握了SiC晶锭切、磨、抛的基本技术，已碳化硅晶体生长工艺及设备西安理工大学技术研究院

碳化硅行业发展及设备竞争格局解读交流工艺

4设备公司的发展需要探讨新的商业模式。从国际市场经验，只做碳化硅的炉子拉不开差距。有工艺的厂商和与有设备制造能力的厂商合作，合作之后又长晶，又卖设备，也可以卖碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫氏硬度达 95，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。碳化硅器件高端检测设备被国外所垄第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

碳化硅器件制造那些事儿面包板社区

碳化硅特色工艺模块主要涵盖注入掺杂、栅结构成型、形貌刻蚀、金属化、减薄工艺。（1）注入掺杂：由于碳化硅中碳硅键能高，杂质原子在碳化硅中难以扩散，制备碳化硅器研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。粗磨主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，使用粒径较大的磨粒，提高加工效率。精磨主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹

碳化硅晶体“黑盒”式生长方法，需要企业积累工艺技术、研发配套设备，构成技术壁垒。同时，由于碳化硅衬底材料生长的独特性，全球领先企业以及部分国内厂商，都是自研自碳化硅市场前景看好，也吸引设备制造商在这一领域加大投入，泛林技术专家David Haynes表示，针对硅晶圆工艺开发的设备，在处理碳化硅衬底时面临的共同挑战就是后者在可见光和近红外区近乎透明，检测模块需要针对性优化。碳化硅扩产潮带动专用设备快速发展腾讯新闻

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碳化硅特色工艺模块主要涵盖注入掺杂、栅结构成型、形貌刻蚀、金属化、减薄工艺。（1）注入掺杂：由于碳化硅中碳硅键能高，杂质原子在碳化硅中难以扩散，制备碳化硅器件时PN结的掺杂只能依靠高温下离子注入的方式实现。注入掺杂通常为硼、磷等杂质同时，碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。 2碳化硅功率模块2021年中国碳化硅（SiC）行业产业链上中下游市场分析（附

国内碳化硅产业链！面包板社区

碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。碳化硅器件高端检测设备被国外所碳化硅炉管，半导体FAB专用，纯度高晶圆的扩散是一道非常重要的工序，一般在扩散炉内完成，具体的工艺流程如下：向扩散炉内注入足量的氮气或氧气，使扩散炉的内部一直处于正压状态。按照既定的温度工艺曲线，采用电加热的方法使扩散炉内的温度碳化硅炉管，半导体FAB专用

第三代半导体重要材料碳化硅（SiC）国产化趋势分析：技术

碳化硅的设备国产化在这两年也有一些进展。比如用于衬底生产的单晶生长设备——硅长晶炉：2019年11月26日，露笑科技与中科钢研、国宏中宇签署合作协议，依托中科钢研及国宏中宇在碳化硅晶体材料生长工艺技术方面已经取得的与持续产出的国玉科技碳化硅晶圆切割划片设备碳化硅材料的特性碳化硅是ⅠⅤⅠⅤ族二元化合物半导体，具有强离子共价键，键能稳定，具有优异的力学、化学性能。材料带隙即禁带能量决定器件的诸多性能，包括光谱响应、抗辐射、工作温度、击穿电压碳化硅晶体激光切割划片工艺技术详解

我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎

问的碳化硅粉体？做磨料用还是做原料？需不需要整形或者改性？碳化硅陶瓷？多孔还是致密？多孔用作过滤还是催化剂载体？滤液体还是滤烟气亦或做气体分离？致密用作密封件还是结构材料？亦或耐火材料、窑具？还是做防弹夹层？还是做半导体？碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。碳化硅器件目前有什么生产难点？？知乎

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碳化硅特色工艺模块主要涵盖注入掺杂、栅结构成型、形貌刻蚀、金属化、减薄工艺。（1）注入掺杂：由于碳化硅中碳硅键能高，杂质原子在碳化硅中难以扩散，制备碳化硅器件时PN结的掺杂只能依靠高温下离子注入的方式实现。注入掺杂通常为硼、磷等杂质碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 采用京瓷独有的工艺可实现超高精度。机加工精度受形状和材料影响。下表所示是一些实例碳化硅|精密陶瓷（高级陶瓷）|京瓷

关于碳化硅，把我知道的都告诉你|半导体|金刚石|肖特|半导体

我不是制造工艺专家，洒家就是一个干投资的，但是经过这些年的对碳化硅和设备的研究，总算工艺方面还能说上几句，说说我的看法。衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅四、碳化硅产品加工工艺流程 1、制砂生产线设备组成制砂生产线由颚式破碎机、对辊破碎机、球磨机、清吹机、磁选机、振动筛和皮带机等设备组合而成。根据不同的工艺要求，各种型号的设备进行组合，满足客户的不同工艺要求。1碳化硅加工工艺流程pdf原创力文档

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碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。碳化硅器件高端检测设备被国外所1本发明涉及一种退火设备，尤其是涉及一种碳化硅高温退火设备。背景技术： 2碳化硅sic晶体生长最常见，最成熟的方法仍然是物理气相输运法（pvt），该方法是一种气相生长方法，生长温度高，对原材料以及工艺参数等都有很高的要求。近年来，国内外对pvt工艺的开发投入了大量的时间和精力一种碳化硅高温退火设备的制作方法

揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展22 碳化硅器件关键工艺研究碳化硅（SiC）器件具有击穿电压高、功率大、耐高温工作、可靠性高、损耗低等特点，是高压电力电子领域的热门研究器件，极其适合于电力系统应用，可制备采用硅器件无法制备的装置 [1011] 由于SiC材料具有耐腐蚀、高硬度和易碎碳化硅功率器件关键工艺研究豆丁网

科普｜碳化硅芯片怎么制造？面包板社区

碳化硅芯片这样制造新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车摘要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势面包板社区

应用领域

应用范围：砂石料场、矿山开采、煤矿开采、混凝土搅拌站、干粉砂浆、电厂脱硫、石英砂等
物料：河卵石、花岗岩、玄武岩、铁矿石、石灰石、石英石、辉绿岩、铁矿、金矿、铜矿等